Diodo al silicio 1N 4148

Caratteristiche

• Corrente: 200 mA
• Tensione: 100 V
• Tipo: diodo raddrizzatore
• Pacchetto: SOD27,
• tipo DO-35
• Produttori: Philips, NXP
• Confezione in vetro al piombo SOD27 (DO-35) sigillata ermeticamente
• Alta velocità di commutazione: max. 4 ns
• Applicazione generale
• Tensione inversa continua: max. 100 V
• Tensione inversa di picco ripetitiva: max. 100 V
• Corrente diretta di picco ripetitiva: max. 450 mA
• Tensione inversa di picco ripetitiva: Vrrm = 100 V.
• Tensione inversa continua: Vr = 100 V
• Corrente diretta continua: If = 200 mA
• Corrente diretta di picco ripetitiva: Ifrm = 450 mA
• Potenza dissipata totale: Ptot = 500 mW
• Temperatura di conservazione: Tstg = -65 ~ + 200 ° C
• Temperatura di giunzione: Tj = 200 ° C
• Applicazioni: Commutazione ad alta velocità